Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 60 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6893
Herst. Teile-Nr.:
BSC160N10NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

42A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Breite

6.35 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 42 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 60 W maximale Verlustleistung - BSC160N10NS3GATMA1


Dieser MOSFET wurde für Effizienz und Langlebigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen entwickelt. Er dient als grundlegende Komponente in Power-Management-Systemen und eignet sich hervorragend für Schaltanwendungen in der Automatisierungs- und Elektrobranche. Seine beeindruckenden Eigenschaften, darunter ein hoher kontinuierlicher Drain-Strom und ein niedriger Durchlasswiderstand, optimieren die Leistung in verschiedenen Umgebungen und gewährleisten Stärke und Effizienz.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt einen kontinuierlichen Stromverbrauch von 42 A für Hochleistungsaufgaben

• Arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 100 V für einen breiten Anwendungsbereich

• Niedriger Durchlasswiderstand von 33 mΩ, wodurch die Energieeffizienz verbessert wird

• Entwickelt mit einer oberflächenmontierbaren Konfiguration für einfache Schaltungsintegration

• Funktioniert in Umgebungen mit hohen Temperaturen, bis zu +150°C

• Verwendet eine einzelne N-Kanal-Konfiguration für verbesserte Stabilität

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungen und Umrichtern für ein effektives Energiemanagement

• Geeignet für die kompakte und effiziente Stromversorgungsgeräte erfordern

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für verbesserte Reaktionszeiten

• Ideal für Telekommunikationssysteme, die robuste Stromversorgungsfunktionen benötigen

• Häufig in erneuerbaren Energiesystemen zur effizienten Energieumwandlung eingesetzt

Was sind die thermischen Grenzen für den Betrieb dieses Geräts?


Das Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und ist für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Wie kann der niedrige Durchlasswiderstand meinem Schaltungsentwurf zugute kommen?


Der niedrige Durchlasswiderstand reduziert die Verlustleistung während des Betriebs, verbessert die Effizienz Ihrer Schaltung und verringert die Wärmeentwicklung.

Ist für diesen MOSFET eine bestimmte Befestigungsmethode erforderlich?


Dieser MOSFET verfügt über ein oberflächenmontierbares Design, das eine einfache Integration in Leiterplatten ermöglicht.

Kann dieser MOSFET für gepulste Anwendungen verwendet werden?


Ja, er kann gepulste Ströme von bis zu 168 A aufnehmen und eignet sich daher für Anwendungen mit transienten Lasten.

Welche Sicherheitsvorkehrungen sollte ich bei der Installation beachten?


Es ist wichtig, die Gate-Source-Spannung innerhalb des spezifizierten Bereichs von -20V bis +20V zu steuern, um Schäden zu vermeiden, und gleichzeitig die Einhaltung der thermischen Widerstandswerte für eine optimale Leistung sicherzustellen.

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