Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4390
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ042N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V Drain-Source-Spannung, 40 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ042N06NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Silizium, das für Hochleistungs-Schaltvorgänge in oberflächenmontierten Anwendungen vorgesehen ist. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für hohe Ströme und Spannungen ausgelegt, die in Leistungsumwandlungs- und Schaltphasen typisch sind. Die Komponente wird in einem flachen TDSON-Gehäuse geliefert, das für kompakte Baugruppen geeignet ist, bei denen thermische und elektrische Leistung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 60 V Drain-Nennleistung ermöglicht robuste Mittelspannungsschaltung
• 40 A Dauerstromfähigkeit unterstützt Schaltkreise mit hoher Belastung
• Niedrige Rds(on) von 6.3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 27 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Die Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 40 A Dauerstromfähigkeit unterstützt Schaltkreise mit hoher Belastung
• Niedrige Rds(on) von 6.3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 27 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Die Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandlerstufen
• Ideal für Motortreiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Wird mit DC/DC-Stromversorgungsmodulen in Serverversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise verwendet werden
• Ideal für Motortreiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Wird mit DC/DC-Stromversorgungsmodulen in Serverversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise verwendet werden
Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?
Die typische Gate-Ladung von 27 nC bei der spezifizierten Gate-Spannung erfordert einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom liefern und ableiten kann, um die erforderliche Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Übergangsverluste zu erreichen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Leistung aus?
Das 8-polige TDSON-Layout bietet einen Weg mit geringem Wärmewiderstand zur Leiterplatte und ermöglicht eine effektive Wärmeübertragung bei Verwendung mit geeigneten Kupferflächen und Wärmeleitungen für eine erhöhte Verlustleistung.
Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?
Er ist für einen breiten Betriebstemperaturbereich von tief kalten bis hochtemperaturigen Umgebungen ausgelegt und eignet sich für Designs, die extremen Bedingungen ausgesetzt sind.
Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf die Gerätemerkmale aus?
Die Kombination aus niedrigem Durchlasswiderstand und moderater Gate-Ladung gleicht niedrige Leitungsverluste mit kontrollierbaren Schaltübergängen aus, wodurch er sich für effizienzorientierte Leistungsstufen eignet.
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