Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 178-7497
Herst. Teile-Nr.:: BSZ042N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 40 A 69 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 178-7497
Herst. Teile-Nr.:: BSZ042N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	6.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	27nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.4mm
	Länge	3.4mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.4mm
	Länge 3.4mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V Drain-Source-Spannung, 40 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ042N06NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Silizium, das für Hochleistungs-Schaltvorgänge in oberflächenmontierten Anwendungen vorgesehen ist. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für hohe Ströme und Spannungen ausgelegt, die in Leistungsumwandlungs- und Schaltphasen typisch sind. Die Komponente wird in einem flachen TDSON-Gehäuse geliefert, das für kompakte Baugruppen geeignet ist, bei denen thermische und elektrische Leistung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• 60 V Drain-Nennleistung ermöglicht robuste Mittelspannungsschaltung
• 40 A Dauerstromfähigkeit unterstützt Schaltkreise mit hoher Belastung
• Niedrige Rds(on) von 6.3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 27 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Gate-Übergänge
• Die Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandlerstufen
• Ideal für Motortreiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Wird mit DC/DC-Stromversorgungsmodulen in Serverversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Ladeschaltkreise verwendet werden

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich berücksichtigen?

Die typische Gate-Ladung von 27 nC bei der spezifizierten Gate-Spannung erfordert einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom liefern und ableiten kann, um die erforderliche Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Übergangsverluste zu erreichen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Leistung aus?

Das 8-polige TDSON-Layout bietet einen Weg mit geringem Wärmewiderstand zur Leiterplatte und ermöglicht eine effektive Wärmeübertragung bei Verwendung mit geeigneten Kupferflächen und Wärmeleitungen für eine erhöhte Verlustleistung.

Welchen Temperaturbereich verträgt er während des Betriebs?

Er ist für einen breiten Betriebstemperaturbereich von tief kalten bis hochtemperaturigen Umgebungen ausgelegt und eignet sich für Designs, die extremen Bedingungen ausgesetzt sind.

Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf die Gerätemerkmale aus?

Die Kombination aus niedrigem Durchlasswiderstand und moderater Gate-Ladung gleicht niedrige Leitungsverluste mit kontrollierbaren Schaltübergängen aus, wodurch er sich für effizienzorientierte Leistungsstufen eignet.