Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin BSC098N10NS5ATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.9.45

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 9’740 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.0.945CHF.9.46
50 - 90CHF.0.903CHF.8.99
100 - 240CHF.0.861CHF.8.61
250 - 490CHF.0.819CHF.8.23
500 +CHF.0.767CHF.7.67

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4622
Herst. Teile-Nr.:
BSC098N10NS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Breite

6.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links