Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4622
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 222-4622
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- BSC098N10NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS-TM5 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC098N10NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in anspruchsvollen Temperaturbereichen entwickelt wurde. Er unterstützt hohe Dauerstromstärken und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine effiziente Leitfähigkeit und schnelles Schalten bei extremen industriellen Temperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 100 V bietet Hochspannungsschaltfunktionen
• 60 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger RDS-Wert von 9,8 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 69 W unterstützt eine erhebliche thermische Belastung
• 22 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 60 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger RDS-Wert von 9,8 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 69 W unterstützt eine erhebliche thermische Belastung
• 22 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Motorantriebsstromstufen in der Leistungselektronik
• Wird mit synchronen Buck-Reglern verwendet, um die Effizienz zu steigern
• Kann für Hochstromschaltvorgänge in Server-Stromversorgungsschienen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodule
• Ideal für Motorantriebsstromstufen in der Leistungselektronik
• Wird mit synchronen Buck-Reglern verwendet, um die Effizienz zu steigern
• Kann für Hochstromschaltvorgänge in Server-Stromversorgungsschienen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement- und Stromverteilungsmodule
Welches Gehäuse wird verwendet und wie wirkt sich das auf die Leiterplattenmontage aus?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das das automatische Pick-and-Place und das Löten für kompakte Leiterplattenlayouts vereinfacht.
In welchen thermischen Extremen kann er arbeiten?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C für Umgebungs- oder Sperrschichtbetriebsszenarien ausgelegt.
Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf die Steuerung aus?
Der N-Typ-Enhancement-Kanal erfordert eine positive Gate-to-Source-Spannung zur Leitung, was ein einfaches Gate-Drive-Design für Schaltanwendungen ermöglicht.
Wie hoch ist die maximale Gate-Spannung, die angewendet werden sollte?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Beeinträchtigung der Gate-Isolierung und der Geräteintegrität zu vermeiden.
Wie unterstützt die Gehäusegröße dichte Designs?
Seine kompakte Grundfläche von 5,35 x 6,1 x 1,2 mm unterstützt Layouts mit hoher Dichte bei gleichzeitiger Beibehaltung der Leistungsaufnahme.
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