Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 222-4619
Herst. Teile-Nr.:: BSC072N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*

CHF 3'585.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 04. Oktober 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	CHF 0.717	CHF 3'600.65

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 222-4619
Herst. Teile-Nr.:: BSC072N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	74A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS-TM5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	24nC
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.35mm
	Höhe	1.2mm
	Breite	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS-TM5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.35mm
	Höhe 1.2mm
	Breite 6.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC072N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS-TM5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 74 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC072N08NS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleiter, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und nimmt Gate-Spannungen bis zu 20 V auf, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die einen robusten Gate-Antrieb und einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom erfordern, während er als kompaktes Oberflächengerät montiert wird.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 80 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 74 A Dauerstrom unterstützt Hochlaststufen
• 7.2 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 24 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Das 8-polige TDSON-Oberflächenpaket sorgt für Einsparungen auf der Leiterplatte

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Serverracks verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet

Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.

Welcher Gate-Treiber-Spannungsbereich ist für die Schaltsteuerung zulässig?

Das Gate kann mit bis zu 20 V betrieben werden, um das Gerät zu schalten.

Wie unterstützt das Gehäuse die automatisierte Montage?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Was ist die typische Schaltladung, die bei Gate-Treibern zu berücksichtigen ist?

Die Entwickler sollten bei der Auswahl eines Treibers eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 24 nC berücksichtigen.