Teile-Nr.

Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin BSC037N08NS5ATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 222-4618
Herst. Teile-Nr.:: BSC037N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin BSC037N08NS5ATMA1 TDSON

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RS Best.-Nr.:: 222-4618
Herst. Teile-Nr.:: BSC037N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	131A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	OptiMOS-TM5
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	114W
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.1 mm
	Höhe	1.2mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 131A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie OptiMOS-TM5
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 114W
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.1 mm
	Höhe 1.2mm
	Automobilstandard Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin BSC037N08NS5ATMA1 TDSON

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