Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4617
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.3'990.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.0.798 | CHF.3'999.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4617
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 131A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 131A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 66 A 94 W, 8-Pin PG-TDSON-8-60
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 275 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 38 W, 8-Pin PG-TDSON-8-61
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 57 A 28 W, 8-Pin TDSON