Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4620
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC072N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (10 Stück, in einer Packung mit 10)*
CHF 14.65
Auf Lager
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF 1.465 | CHF 14.67 |
| 50 - 90 | CHF 1.394 | CHF 13.93 |
| 100 - 240 | CHF 1.364 | CHF 13.64 |
| 250 - 490 | CHF 1.273 | CHF 12.77 |
| 500 + | CHF 1.192 | CHF 11.89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4620
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC072N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS-TM5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 74 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC072N08NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleiter, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und nimmt Gate-Spannungen bis zu 20 V auf, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die einen robusten Gate-Antrieb und einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom erfordern, während er als kompaktes Oberflächengerät montiert wird.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 80 V ermöglicht Schaltanwendungen mit höherer Spannung
• 74 A Dauerstrom unterstützt Hochlaststufen
• 7.2 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 24 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Das 8-polige TDSON-Oberflächenpaket sorgt für Einsparungen auf der Leiterplatte
• 74 A Dauerstrom unterstützt Hochlaststufen
• 7.2 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 24 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• Das 8-polige TDSON-Oberflächenpaket sorgt für Einsparungen auf der Leiterplatte
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Serverracks verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Serverracks verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Welcher Gate-Treiber-Spannungsbereich ist für die Schaltsteuerung zulässig?
Das Gate kann mit bis zu 20 V betrieben werden, um das Gerät zu schalten.
Wie unterstützt das Gehäuse die automatisierte Montage?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Was ist die typische Schaltladung, die bei Gate-Treibern zu berücksichtigen ist?
Die Entwickler sollten bei der Auswahl eines Treibers eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 24 nC berücksichtigen.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 74 A 69 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 66 A 94 W, 8-Pin PG-TDSON-8-60
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 38 W, 8-Pin PG-TDSON-8-61
- Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 275 A 217 W, 8-Pin PG-TDSON-8 FL
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 69 W, 8-Pin TDSON