Vishay Si7456DDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27.8 A 35.7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 165-7065
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7456DDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.1'575.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.525 | CHF.1'568.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-7065
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7456DDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | Si7456DDP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.031Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Normen/Zulassungen | Lead (Pb)-Free | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie Si7456DDP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.031Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Normen/Zulassungen Lead (Pb)-Free | ||
Breite 5.26 mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si7456DDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27.8 A 35.7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Si7121DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9.6 A 27.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS4608DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 35.7 A 33.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65.7 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 50 A 48 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay SIS9634LDN Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay Si7615ADN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8