Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:
165-8110
Herst. Teile-Nr.:
IPA093N06N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

43 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.85mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

36 nC @ 10 V

Länge

10.65mm

Transistor-Werkstoff

Si

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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