Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 43 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8975
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0502NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.0.737 | CHF.11.07 |
| 75 - 135 | CHF.0.697 | CHF.10.50 |
| 150 - 360 | CHF.0.667 | CHF.10.08 |
| 375 - 735 | CHF.0.646 | CHF.9.62 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8975
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0502NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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