Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin IRF540NLPBF TO-262

RS Best.-Nr.:: 165-8115
Herst. Teile-Nr.:: IRF540NLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin IRF540NLPBF TO-262

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 200	CHF.1.218	CHF.60.69
250 - 450	CHF.1.134	CHF.56.91
500 - 950	CHF.1.061	CHF.53.13
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RS Best.-Nr.:: 165-8115
Herst. Teile-Nr.:: IRF540NLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	33A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-262
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	44mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	71nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	130W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Höhe	9.65mm
	Breite	4.83 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-262
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 130W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Höhe 9.65mm
	Breite 4.83 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

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