Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 165-8270
Herst. Teile-Nr.:: IPB034N06L3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-8270
Herst. Teile-Nr.:: IPB034N06L3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	90A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	167W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	59nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	9.45 mm
	Höhe	4.57mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.31mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 167W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 9.45 mm
	Höhe 4.57mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.31mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: CN

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

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