DiodesZetex DMT6016LFDF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.1 A 1.9 W, 6-Pin UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 165-8421
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6016LFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 165-8421
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6016LFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Serie | DMT6016LFDF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.58mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Serie DMT6016LFDF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.58mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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