DiodesZetex DMG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.5 A 1.75 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 165-8744
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG6402LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 165-8744
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG6402LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Serie | DMG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.75W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Serie DMG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.75W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.6 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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