Infineon Isoliert HEXFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.7 A 1.25 W, 8-Pin MSOP

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RS Best.-Nr.:
166-0907
Herst. Teile-Nr.:
IRF7509TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

MSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Höhe

0.86mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

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