Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-1112
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7104PBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 95 - 95 | CHF.1.187 | CHF.112.52 |
| 190 - 380 | CHF.0.956 | CHF.91.17 |
| 475 - 855 | CHF.0.893 | CHF.84.39 |
| 950 - 2280 | CHF.0.83 | CHF.78.80 |
| 2375 + | CHF.0.767 | CHF.73.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-1112
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7104PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon
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MOSFET-Transistoren, Infineon
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