Infineon Isoliert HEXFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 3.4 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 826-8901
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7342TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF7342TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 3,4A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF7342TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist für eine effiziente Energieverwaltung in verschiedenen elektronischen Geräten vorgesehen. Mit seiner P-Kanal-Konfiguration eignet er sich für leistungsstarke Schalt- und Verstärkungsvorgänge. Seine robusten Spezifikationen erfüllen die wesentlichen Anforderungen von Ingenieuren und Konstrukteuren in der Automatisierungs- und Elektrobranche.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 3,4 A
• Drain-Source-Spannungstoleranz von bis zu 55 V
• Die Oberflächenmontage ermöglicht eine unkomplizierte Installation
• Niedriger maximaler Drain-Source-Widerstand verbessert die Energieeffizienz
• Gate-Schwellenspannung von 1 V für zuverlässiges Schalten
Anwendungsbereich
• Stromversorgungsschaltungen für eine bessere Energienutzung
• Automatisierungsgeräte, die robuste Schaltfunktionen erfordern
• Geeignet für Motorsteuerungssysteme
• Einsatz in Stromrichtern für die Elektronik
• Häufig in Batteriemanagementsystemen
Was sind die thermischen Grenzen für den Betrieb?
Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen.
Wie verbessert dieses Bauteil die Effizienz des Schaltkreises?
Der niedrige Rds(on)-Wert verringert die Verlustleistung während des Betriebs und verbessert so die Gesamteffizienz der Schaltung.
Kann dieser MOSFET gepulste Ströme verarbeiten?
Ja, er kann gepulste Ableitströme von bis zu 27 A aufnehmen und ist für transiente Bedingungen geeignet.
In welcher Art von Verpackung ist es erhältlich?
Er ist in einem oberflächenmontierbaren SO-8-Gehäuse erhältlich, das die Layout-Flexibilität und die Fertigungsprozesse optimiert.
Gibt es eine bestimmte Gate-Spannung für optimale Leistung?
Die Gate-Source-Spannung sollte idealerweise bei ±20 V gehalten werden, um eine optimale Leistung und Langlebigkeit des Bauelements zu gewährleisten.
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