Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

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304-44-450
Herst. Teile-Nr.:
IRF7105TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

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