onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 43 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 166-2468
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD8647L
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 2500 + | CHF 0.545 | CHF 1'353.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2468
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD8647L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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