onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 37 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-2548
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
- Marke:
- onsemi
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- 166-2548
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 97mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 11.33 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 97mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 11.33 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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