onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin FDB024N08BL7 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 864-7941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB024N08BL7
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.584
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.292 | CHF.10.58 |
| 20 - 198 | CHF.4.557 | CHF.9.13 |
| 200 + | CHF.3.959 | CHF.7.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-7941
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB024N08BL7
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 229A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 137nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 246W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.4 mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 229A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 137nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 246W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.4 mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 4.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 229 A 246 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 37 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)