onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin FDB035AN06A0 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8927
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB035AN06A0
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 11.33 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 11.33 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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