onsemi PowerTrench N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin JEDEC
- RS Best.-Nr.:
- 671-4803
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP2532
- Marke:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.016Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.016Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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