onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 124-1748
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP2532
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.113.10
Vorübergehend ausverkauft
- 800 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.262 | CHF.112.97 |
| 100 - 200 | CHF.2.172 | CHF.108.47 |
| 250 + | CHF.2.101 | CHF.105.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1748
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP2532
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.016Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.016Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.4mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 70 A 79 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 310 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 18 A 41 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 16 A 54 W, 8-Pin Leistung 33
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 29 A 69 W, 3-Pin TO-252