onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 124-1748
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP2532
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.262 | CHF.112.97 |
| 100 - 200 | CHF.2.172 | CHF.108.47 |
| 250 + | CHF.2.101 | CHF.105.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1748
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP2532
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.016Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.016Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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