onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 310 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 671-0334
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB3632
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.969
Lieferengpass
- 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 902 Einheit(en) mit Versand ab 28. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.97 |
| 10 - 99 | CHF.3.42 |
| 100 - 499 | CHF.2.96 |
| 500 + | CHF.2.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0334
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB3632
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 84nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 84nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 12 A 310 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 310 W, 3-Pin FDB035AN06A0 TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin FDB2532 TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 37 A 150 W, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin TO-263
