IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.262.41

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +CHF.8.747CHF.262.36

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4470
Herst. Teile-Nr.:
IXFH170N10P
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

714W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

198nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.26mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3 mm

Höhe

21.46mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links