IXYS HiperFET, Polar3 Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 90 A 1.5 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4756
Herst. Teile-Nr.:
IXFN110N60P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar3

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

245nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5kW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Breite

25.07 mm

Höhe

9.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

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