Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
168-5946
Herst. Teile-Nr.:
IRF100B202
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

97 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

221 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

77 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

16.51mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links