Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 168-6037
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS3034TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.1’302.40
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 09. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.1.628 | CHF.1’304.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6037
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS3034TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 343A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 108nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 343A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 246 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 195 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 57 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)