Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin IRLB3034PBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 124-9024
Herst. Teile-Nr.:: IRLB3034PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin IRLB3034PBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 124-9024
Herst. Teile-Nr.:: IRLB3034PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	343A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	108nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.83 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.02mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 343A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.83 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.02mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 343A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRLB3034PBF

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Mit einer Enhancement-Mode-Konfiguration und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp erleichtert die Montage und eignet sich für verschiedene Designs. Seine kompakten Abmessungen von 10,67 mm Länge, 4,83 mm Breite und 9,02 mm Höhe machen ihn noch vielseitiger.

Eigenschaften und Vorteile

• Geeignet für einen maximalen Dauerstrom von 343 A

• Optimiert für die Ansteuerung auf Logikniveau für eine vereinfachte Steuerung

• Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanforderungen

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Überlegene Gate-Schwelle von 1V bis 2,5V begünstigt Niederspannungsbetrieb

Anwendungen

• Ideal für DC-Motorantriebssysteme

• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichter-Anlagen

• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungen

• Wirksam in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?

Das Gerät kann unter optimalen Bedingungen bis zu 375 W ableiten, wodurch es in der Lage ist, erhebliche Wärmelasten in anspruchsvollen Anwendungen zu bewältigen.

Wie trägt der niedrige RDS(on) zur Leistung bei?

Der niedrige Einschaltwiderstand von 2 mΩ verringert die Energieverluste und ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad und einen kühleren Betrieb, was für Hochstromanwendungen unerlässlich ist.

Kann dieser MOSFET in Automatisierungssystemen eingesetzt werden?

Ja, aufgrund seiner hohen Stromkapazität und seiner zuverlässigen Schaltleistung eignet er sich hervorragend für verschiedene Automatisierungsanwendungen und verbessert die Effizienz und Kontrolle.

Welche Befestigungsmöglichkeiten bietet diese Komponente?

Es handelt sich um einen Durchsteckmontagetyp, der die Integration in verschiedene Schaltungsdesigns vereinfacht und gleichzeitig sichere Verbindungen gewährleistet.