Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
688-7204
Herst. Teile-Nr.:
IRLB3034PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

343A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

9.02mm

Breite

4.83 mm

Distrelec Product Id

304-43-457

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 343A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRLB3034PBF


Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Mit einer Enhancement-Mode-Konfiguration und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp erleichtert die Montage und eignet sich für verschiedene Designs. Seine kompakten Abmessungen von 10,67 mm Länge, 4,83 mm Breite und 9,02 mm Höhe machen ihn noch vielseitiger.

Eigenschaften und Vorteile


• Geeignet für einen maximalen Dauerstrom von 343 A

• Optimiert für die Ansteuerung auf Logikniveau für eine vereinfachte Steuerung

• Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanforderungen

• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C

• Überlegene Gate-Schwelle von 1V bis 2,5V begünstigt Niederspannungsbetrieb

Anwendungen


• Ideal für DC-Motorantriebssysteme

• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichter-Anlagen

• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungen

• Wirksam in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?


Das Gerät kann unter optimalen Bedingungen bis zu 375 W ableiten, wodurch es in der Lage ist, erhebliche Wärmelasten in anspruchsvollen Anwendungen zu bewältigen.

Wie trägt der niedrige RDS(on) zur Leistung bei?


Der niedrige Einschaltwiderstand von 2 mΩ verringert die Energieverluste und ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad und einen kühleren Betrieb, was für Hochstromanwendungen unerlässlich ist.

Kann dieser MOSFET in Automatisierungssystemen eingesetzt werden?


Ja, aufgrund seiner hohen Stromkapazität und seiner zuverlässigen Schaltleistung eignet er sich hervorragend für verschiedene Automatisierungsanwendungen und verbessert die Effizienz und Kontrolle.

Welche Befestigungsmöglichkeiten bietet diese Komponente?


Es handelt sich um einen Durchsteckmontagetyp, der die Integration in verschiedene Schaltungsdesigns vereinfacht und gleichzeitig sichere Verbindungen gewährleistet.