Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 688-7204
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-43-457
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLB3034PBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 3.959 | CHF 7.93 |
| 20 - 48 | CHF 3.555 | CHF 7.11 |
| 50 - 98 | CHF 3.333 | CHF 6.67 |
| 100 - 198 | CHF 3.131 | CHF 6.25 |
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-43-457
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- IRLB3034PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 343A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 108nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 343A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 108nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 343A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRLB3034PBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für anspruchsvolle Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Mit einer Enhancement-Mode-Konfiguration und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V gewährleistet er einen zuverlässigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp erleichtert die Montage und eignet sich für verschiedene Designs. Seine kompakten Abmessungen von 10,67 mm Länge, 4,83 mm Breite und 9,02 mm Höhe machen ihn noch vielseitiger.
Eigenschaften und Vorteile
• Geeignet für einen maximalen Dauerstrom von 343 A
• Optimiert für die Ansteuerung auf Logikniveau für eine vereinfachte Steuerung
• Entwickelt für Hochgeschwindigkeits-Schaltanforderungen
• Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C
• Überlegene Gate-Schwelle von 1V bis 2,5V begünstigt Niederspannungsbetrieb
Anwendungen
• Ideal für DC-Motorantriebssysteme
• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichter-Anlagen
• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungen
• Wirksam in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?
Das Gerät kann unter optimalen Bedingungen bis zu 375 W ableiten, wodurch es in der Lage ist, erhebliche Wärmelasten in anspruchsvollen Anwendungen zu bewältigen.
Wie trägt der niedrige RDS(on) zur Leistung bei?
Der niedrige Einschaltwiderstand von 2 mΩ verringert die Energieverluste und ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad und einen kühleren Betrieb, was für Hochstromanwendungen unerlässlich ist.
Kann dieser MOSFET in Automatisierungssystemen eingesetzt werden?
Ja, aufgrund seiner hohen Stromkapazität und seiner zuverlässigen Schaltleistung eignet er sich hervorragend für verschiedene Automatisierungsanwendungen und verbessert die Effizienz und Kontrolle.
Welche Befestigungsmöglichkeiten bietet diese Komponente?
Es handelt sich um einen Durchsteckmontagetyp, der die Integration in verschiedene Schaltungsdesigns vereinfacht und gleichzeitig sichere Verbindungen gewährleistet.
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