Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7749L1TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.49mm

Länge

9.15mm

Breite

7.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils

Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.

Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.

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Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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