Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7749L1TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

DirectFET, HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

7.1 mm

Höhe

0.49mm

Länge

9.15mm

Automobilstandard

Nein

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