Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 57 W, 7-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 215-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6785MTRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- 215-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6785MTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 200 V in einem DirectFET MZ-Gehäuse, das für 19 Ampere ausgelegt ist und einen niedrigen Einschaltwiderstand aufweist. Dieser digitale Audio-MOSFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus sind Gate-Ladung, Gehäuse-Diode-Rückgewinnung und interner Gate-Widerstand optimiert, um die wichtigsten Leistungsfaktoren des Klasse-D-Audioverstärkers wie Effizienz, THD und EMI zu verbessern. Das IRF6785MPbF-Gerät nutzt die DirectFETTM-Verpackungstechnologie. Die DirectFETTM-Verpackungstechnologie bietet eine geringere parasitäre Induktivität und einen geringeren Widerstand im Vergleich zu herkömmlichen, drahtgebundenen SOIC-Gehäusen.
Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie
Wichtige Parameter optimiert für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen
Zweiseitige Kühlung kompatibel
Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)
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