Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 112 A 63 W, 9-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 214-8965
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRL7736M2TR
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.938 | CHF.19.67 |
| 25 - 45 | CHF.3.381 | CHF.16.92 |
| 50 - 120 | CHF.3.182 | CHF.15.92 |
| 125 - 245 | CHF.2.951 | CHF.14.74 |
| 250 + | CHF.2.751 | CHF.13.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8965
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRL7736M2TR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 112A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.05 mm | |
| Höhe | 0.74mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 112A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.05 mm | ||
Höhe 0.74mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon kombiniert die neueste KFZ-HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced Package-Plattform, um eine außergewöhnliche Leistung in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- oder 5X6mm-PQFN und nur 0,7 mm-Profil aufweist. Das Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren usw. verwendet werden. Das Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Logikebene
Hohe Leistungsdichte
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