Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin DirectFET

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Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7648M2TR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET hat eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem DirectFET M4-Gehäuse. Der AUIRF7648M2 kombiniert die neueste Kfz-Siliziumtechnologie HEXFET ® Power MOSFET mit der Advanced DirectFET ® -Verpackung, um eine niedrige Gate-Ladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil aufweist. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Optimiert für Kfz-Motorantriebe, DC/DC und andere Hochleistungsanwendungen

Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz

Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit

Bleifrei, RoHS- und halogenfrei

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