Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 89 W, 7-Pin DirectFET

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET verfügt über eine maximale Drain-Quellspannung von 80 V in einem DirectFET MZ-Gehäuse, das für 55 Ampere ausgelegt ist und mit niedrigem Einschaltwiderstand optimiert ist. Der IRF6668PbF kombiniert die neueste HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFETTM-Verpackung, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden. Der Anwendungshinweis AN-1035 wird bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt. Das DirectFET-Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung, um die Wärmeübertragung in Stromversorgungssystemen zu maximieren und den bisher besten Wärmewiderstand um 80 % zu verbessern.

Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)