Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 28 A 89 W, 2-Pin DirectFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4800 Stück)*

CHF.3’580.80

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4800 +CHF.0.746CHF.3’588.48

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3101
Herst. Teile-Nr.:
IRF6775MTRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Länge

4.85mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.95 mm

Höhe

0.68mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 150-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET. Dieser digitale Audio-MOSFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Die niedrigere Induktivität verbessert die EMI-Leistung, indem sie das Spannungssignal reduziert, das mit schnellen Stromtransienten verbunden ist.

Neueste MOSFET-Siliziumtechnologie

Zweiseitige Kühlung kompatibel

Kompatibel mit vorhandenen SMD-Technologien

Bleifrei

Verwandte Links