Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 67 A, 15-Pin IRF7779L2TRPBF DirectFET

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RS Best.-Nr.:
260-5941
Herst. Teile-Nr.:
IRF7779L2TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

15

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon DirectFET-Leistungs-MOSFET ist für Hochfrequenzschalt- und synchronen Gleichrichteranwendungen optimiert. Die verringerten Gesamtverluste im Gerät in Verbindung mit der hohen thermischen Leistung ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad und niedrige Temperaturen, die für Verbesserungen der Systemzuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind, und machen dieses Gerät ideal für Hochleistungs-Leistungswandler.

Bleifrei

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Geringe Leitungsverluste

Kompatibel mit zweiseitiger Kühlung

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