Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET

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RS Best.-Nr.:
257-5564
Herst. Teile-Nr.:
IRL7472L1TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Hochstromfähigkeit

Beidseitige Kühlbarkeit

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität (1-2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahme)

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