Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A IRL7472L1TRPBF DirectFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.93

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 7’030 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.465CHF.6.93
20 - 48CHF.3.119CHF.6.24
50 - 98CHF.2.919CHF.5.83
100 - 198CHF.2.709CHF.5.41
200 +CHF.1.491CHF.2.99

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-5861
Herst. Teile-Nr.:
IRL7472L1TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Hochstromfähigkeit

Beidseitige Kühlbarkeit

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität (1-2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahme)

Verwandte Links