Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 76 A 375 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-5807
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 18 | CHF 6.535 | CHF 13.07 |
| 20 - 48 | CHF 5.676 | CHF 11.35 |
| 50 - 98 | CHF 5.292 | CHF 10.59 |
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- 257-5807
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 375 W maximale Verlustleistung - IRFB4127PBF
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor mit Verstärkungsmodus, der für die Leiterplattenmontage in einem TO-220-Gehäuse entwickelt wurde. Er ist für Leistungsschalt- und Steuerungsaufgaben vorgesehen, bei denen eine erhebliche Strombelastbarkeit und thermische Kapazität erforderlich sind, und arbeitet in einem erweiterten industriellen Temperaturbereich unter Einhaltung der RoHS-Beschränkungen.
Merkmale und Vorteile:
• 20 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 76 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Schaltvorgängen mit hoher Last
• 200 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsanwendungen
• 375 W Verlustleistung verbessert den thermischen Kopfraum
• 1,3 V Durchlassspannung zur Minimierung des Gate-Antriebsabfalls
• 76 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Schaltvorgängen mit hoher Last
• 200 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsanwendungen
• 375 W Verlustleistung verbessert den thermischen Kopfraum
• 1,3 V Durchlassspannung zur Minimierung des Gate-Antriebsabfalls
Anwendungsbereich
• Geeignet für das Schalten der Stromversorgung in industriellen Systemen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die hohe Ströme erfordern
• Ideal für Gleichspannungswandler in Hochspannungsschienen
• Kann zum Schalten von Wechselrichtern auf Leiterplatten verwendet werden
• Wird mit Motortreibern verwendet, die hohe Ströme erfordern
• Ideal für Gleichspannungswandler in Hochspannungsschienen
• Kann zum Schalten von Wechselrichtern auf Leiterplatten verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Die Gate-zu-Quelle-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.
Welchen Temperaturbereich hält das Gerät im Betrieb aus?
Es ist spezifiziert für den Betrieb zwischen -55 °C und 175 °C für einen breiten industriellen Einsatz.
Ist das Gerät für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten geeignet?
Er ist für die Leiterplattenmontage in einem TO-220-Gehäuse mit Durchsteckbohrung vorgesehen, um eine sichere thermische und mechanische Befestigung zu gewährleisten.
Entspricht es den Materialbeschränkungen der Umwelt?
Die Komponente ist RoHS-konform und erfüllt die erforderlichen Beschränkungen für gefährliche Stoffe.
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