Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 200 V / 76 A 375 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-5807
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.3.293 | CHF.6.60 |
| 20 - 48 | CHF.2.868 | CHF.5.74 |
| 50 - 98 | CHF.2.666 | CHF.5.34 |
| 100 - 198 | CHF.2.464 | CHF.4.94 |
| 200 + | CHF.2.303 | CHF.4.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5807
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz
Weichere Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breitgefächertes Angebot
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