Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W TO-262

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*

CHF.1’411.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
800 +CHF.1.764CHF.1’412.04

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5554
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4127TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.6mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt Fähigkeit

Bleifrei

Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Verwandte Links