Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin IRF6648TRPBF MN
- RS Best.-Nr.:
- 130-0948
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.3.55
Auf Lager
- Zusätzlich 4’260 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.775 | CHF.3.55 |
| 20 - 48 | CHF.1.554 | CHF.3.12 |
| 50 - 98 | CHF.1.449 | CHF.2.91 |
| 100 - 198 | CHF.1.344 | CHF.2.70 |
| 200 + | CHF.1.25 | CHF.2.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0948
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | MN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.05 mm | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße MN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.05 mm | ||
Höhe 0.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon
Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.
Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils
Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.
Die äußerst effiziente zweiseitige Kühlung erhöht Leistungsdichte, Kosten und Zuverlässigkeit.
Flache Bauweise, nur 0,7 mm
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin SOT-89
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.2 A 1 W, 4-Pin BSS606NH6327XTSA1 SOT-89
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W IRF6674TRPBF Micro8
- Infineon BSS Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 0.09 A, 3-Pin SOT-89
- Infineon BSS Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 0.09 A, 3-Pin BSS225H6327FTSA1 SOT-89
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 16 A 86 W, 4-Pin AIMZA75R140M1HXKSA1