Infineon DirectFET, HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN

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Herst. Teile-Nr.:
IRF6648TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

86A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

MN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.5mm

Breite

5.05 mm

Länge

6.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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