Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 86 A 89 W, 4-Pin MN
- RS Best.-Nr.:
- 130-0948
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 2.767 | CHF 5.53 |
| 20 - 48 | CHF 2.424 | CHF 4.84 |
| 50 - 98 | CHF 2.262 | CHF 4.54 |
| 100 - 198 | CHF 2.111 | CHF 4.22 |
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- 130-0948
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6648TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | MN | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.05mm | |
| Höhe | 500μm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße MN | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.05mm | ||
Höhe 500μm | ||
Länge 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET DirectFET®, Infineon
Das DirectFET®-Leistungspaket ist eine SMD-Leistungs-MOSFET-Gehäusetechnologie. DirectFET®-MOSFETs ist eine Lösung zur Verringerung von Energieverlusten bei gleichzeitigem Schrumpfen der Design-Abmessungen bei fortschrittlichen Schaltanwendungen.
Geringster Widerstand der Branche des jeweiligen Profils
Extrem geringer Gehäusewiderstand zur Minimierung von Leitungsverlusten.
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Flache Bauweise, nur 0,7 mm
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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