Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 30 W, 6-Pin DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 215-2447
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7640S2TR
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 4800 Stück)*
CHF.3’177.60
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4800 + | CHF.0.662 | CHF.3’195.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2447
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7640S2TR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Automotive DirectFET ® -Leistungs-MOSFET-Serie hat eine maximale Drain-Quellspannung von 60 V mit 20 A maximalem Dauerstromstrom in einem DirectFET Small Can Gehäuse. Der AUIRF7640S2TR/TR1 kombiniert die neueste KFZ-HEXFET ® -Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit der Advanced DirectFET ® -Verpackungsplattform, um ein erstklassiges Teil für Audioverstärkeranwendungen der Klasse D zu produzieren. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Optimiert für Audioverstärker der Klasse D und Hochgeschwindigkeitsschalten Anwendungen
Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Bleifrei, RoHS- und halogenfrei
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 21 A 30 W, 6-Pin AUIRF7640S2TR DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 68 A 63 W, 9-Pin AUIRF7648M2TR DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 345 A 341 W, 8-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 160 A DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 345 A 341 W, 8-Pin AUIRF7749L2TR DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 89 W, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 19 A 57 W, 7-Pin DirectFET