STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-6102
- Herst. Teile-Nr.:
- STP30NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.43.60
Auf Lager
- 3’400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.872 | CHF.43.73 |
| 100 + | CHF.0.83 | CHF.41.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6102
- Herst. Teile-Nr.:
- STP30NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin STP30NF10 TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 115 W, 3-Pin STB30NF10T4 TO-263
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 33 V / 62 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 15 A 90 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220