STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-0061
- Herst. Teile-Nr.:
- STP20NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.795
Auf Lager
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 13. Mai 2026
- Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 13. Mai 2026
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 05. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.959 | CHF.9.82 |
| 25 - 45 | CHF.1.869 | CHF.9.32 |
| 50 - 120 | CHF.1.677 | CHF.8.40 |
| 125 - 245 | CHF.1.505 | CHF.7.54 |
| 250 + | CHF.1.434 | CHF.7.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0061
- Herst. Teile-Nr.:
- STP20NF20
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 33 V / 62 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 300 W, 3-Pin