STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7469
- Herst. Teile-Nr.:
- STP3N150
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.146.95
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.939 | CHF.146.75 |
| 100 + | CHF.2.899 | CHF.144.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7469
- Herst. Teile-Nr.:
- STP3N150
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 4 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 63 W, 3-Pin TO-3PF
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.5 A 25 W, 3-Pin TO-220