STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 63 W, 3-Pin TO-3PF
- RS Best.-Nr.:
- 761-0493
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW3N150
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.791
Auf Lager
- 12 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 23 Einheit(en) mit Versand ab 30. Januar 2026
- Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 11. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.3.79 |
| 5 - 9 | CHF.3.60 |
| 10 - 24 | CHF.3.22 |
| 25 - 49 | CHF.2.91 |
| 50 + | CHF.2.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0493
- Herst. Teile-Nr.:
- STFW3N150
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1500V | |
| Gehäusegröße | TO-3PF | |
| Serie | MDmesh | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.7mm | |
| Breite | 5.7 mm | |
| Höhe | 26.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1500V | ||
Gehäusegröße TO-3PF | ||
Serie MDmesh | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.7mm | ||
Breite 5.7 mm | ||
Höhe 26.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 63 W, 3-Pin TO-3PF
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin STH3N150-2 H2PAK
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin STP3N150 TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin STW3N150 TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 710 V / 58 A 79 W, 3-Pin TO-3PF