Infineon Si4435DYPbF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 170-2264
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4435DYTRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.315 | CHF.1’255.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2264
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4435DYTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | Si4435DYPbF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie Si4435DYPbF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
Der Infineon SI4435DY ist der 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse. Diese P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.
P-Kanal-MOSFET
Oberflächenmontage
Erhältlich auf Band und Rolle
Ohne Leitung
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